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特性參數表
請您參照 SIC功率模塊 特性參數表用途廣泛的各類碳化硅(SiC)功率模塊
| 應用 | 產品名稱 | 型號 | 額定值 | 內部拓撲 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 電壓[V] | 電流[A] | ||||
| 工業 | 混合 SiC-IPM | PMH75CL1A120 | 1200 | 75 | 6-in-1 |
| 全 SiC-IPM | PMF75CL1A120 | ||||
| 全SiC功率模塊 | FMF400BX-24A | 1200 | 400 | 4-in-1 | |
| FMF800DX-24A | 800 | 2-in-1 | |||
| FMF600DX2-24A | 600 | ||||
| FMF800DX2-24A | 800 | ||||
| 高頻開關用混合SiC功率模塊 | CMH100DY-24NFH | 1200 | 100 | 2-in-1 | |
| CMH150DY-24NFH | 150 | ||||
| CMH200DU-24NFH | 200 | ||||
| CMH300DU-24NFH | 300 | ||||
| CMH300DX-24NFH | |||||
| CMH400DU-24NFH | 400 | ||||
| CMH400HC6-24NFM | 1-in-1 | ||||
| CMH600DU-24NFH | 600 | 2-in-1 | |||
| 光伏用DIPIPM | PSH50YA2A6 | 600 | 50 | 4-in-1 | |
| 軌道牽引 | 混合SiC功率模塊 | CMH1200DC-34S | 1700 | 1200 | 2-in-1 |
| 家電 | 超小型全SiC DIPIPMtd> | PSF15S92F6 | 600 | 15 | 6-in-1 |
| PSF25S92F6 | 25 | ||||
| 超小型混合SiC DIPPFC | PSH20L91A6-A | 20Arms | Boost chopper×2 | ||
| 超小型全SiC DIPPFC | PSF20L91A6-A | ||||
有著優異特性的碳化硅(SiC)
降低電能損耗
碳化硅材料的絕緣擊穿電場強度大約比單晶硅高10倍。 除此之外，由于主要決定電阻的漂移層的厚度也只有單晶硅的十分之一，所以電阻也大幅降低，從而進一步減少電能損耗。 同時，SiC的優越性能也大幅降低了功率器件的導通損耗以及開關損耗。
高溫操作
在溫度升高時，電子會向導帶轉移，漏電流增加，導致無法正常運行。 碳化硅的禁帶寬度約為單晶硅的三倍，即使在高溫時漏電流的增加也很小，可以確保高溫下運行。
高速的開關操作
碳化硅在利用強度很高的絕緣擊穿電場降低電能損耗的同時，也容易實現耐高壓，所以可以利用單晶硅無法使用的肖特基勢壘二極管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。 由于SBD沒有載流子累加，最終幫助實現高速的開關動作。
優異的散熱效果
碳化硅的熱傳導率約為單晶硅的三倍，有效提高了散熱能力。
Featured Products
家電用 600V/15A?25A 超小型全SiC DIPIPM的優點
*: 本公司產超小型DIPIPM系列
內部模塊圖
功率損耗比較
Featured
Products
PV用 600V/50A 大型混合SiC DIPIPM的優點
*: 本公司生產的大型DIPIPM PS61A99
內部模塊圖
功率損耗比較
Featured Products
家電用 超小型混合/全SiC DIPPFC的優點
內部模塊圖（全SiC DIPPFC）
功率損耗比較
Featured
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工業用 1200V/75A混合/全SiC IPM的優點
*: 本公司生產的IPM L1系列PM75CL1A120
主要規格
| 額定值 | 1200V/75A 6in1 |
|---|---|
| 內置功能 |
內置驅動電路
欠壓保護
短路保護
過溫保護
(檢測IGBT硅片表面) |
內部模塊圖（全SiC DIPPFC）
功率損耗比較
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工業用 1200V/400A?1200V/800A 全SiC功率模塊的優點
*: 使用2個本公司生產的IGBT模塊CM400DY-24NF（1200V/400A 2in1）時
產品陣容
| 應用 | 額定電壓 | 額定電流 | 內部拓撲 | 封裝尺寸 |
|---|---|---|---|---|
| 工業 | 1200V | 400A | 4-in-1 | 92.3×121.7mm |
| 800A | 2-in-1 |
與已有產品的封裝比較
功率損耗比較 1200V/800A 全SiC功率模塊
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工業用 1200V/600A?1200V/800A 全SiC功率模塊的優點
*: 使用2個本公司生產的IGBT模塊CM400DY-24NF（1200V/400A 2in1）時
產品陣容
| 型號 | 額定電壓 | 額定電流 | 封裝尺寸 (D x W) |
|---|---|---|---|
| FMF600DX2-24A★★ | 1200V | 600A | 79.6×122mm |
| FMF800DX2-24A★★ | 800A |
★★ Under development
內部保護電路圖（示例）
功率損耗對比 1200V/800A 全SiC功率模塊
Featured Products
高頻用 混合SiC功率模塊的優點
*: 本公司生產的IGBT模塊NFH系列
產品陣容
| 應用 | 型號 | 額定電壓 | 額定電流 | 內部拓撲 | 封裝尺寸 ( D x W ) |
|---|---|---|---|---|---|
| 工業 | CMH100DY-24NFH | 1200V | 100A | 2-in-1 | 48×94mm |
| CMH150DY-24NFH | 150A | 48×94mm | |||
| CMH200DU-24NFH | 200A | 62×108mm | |||
| CMH300DU-24NFH | 300A | 62×108mm | |||
| CMH300DX-24NFH | 63×152mm | ||||
| CMH400DU-24NFH | 400A | 80×110mm | |||
| CMH400HC6-24NFM | 400A | 1-in-1 | 62×108mm | ||
| CMH600DU-24NFH | 600A | 2-in-1 | 80×110mm |
反向恢復波形（FWD）
功率損耗比較
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鐵路牽引變流器用 混合SiC功率模塊的優點
*: 本公司生產的功率模塊CM1200DC-34N
主要規格
| 模塊 | 最大運行結溫 | 150℃ | |
|---|---|---|---|
| 絕緣電壓 | 4000Vrms | ||
| Si-IGBT @150℃ |
集電極-發射極飽和電壓 | 2.3V | |
| 開關損耗 850V/1200V |
導通 | 140mJ | |
| 關斷 | 390mJ | ||
| SiC-SBD @150℃ |
發射極-集電極電壓 | 2.3V | |
| 充電電荷 | 9.0µC | ||
內部模塊圖
功率損耗比較
