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特性參數表
請您參照 SIC功率模塊 特性參數表用途廣泛的各類碳化硅(SiC)功率模塊
應用 | 產品名稱 | 型號 | 額定值 | 內部拓撲 | |
---|---|---|---|---|---|
電壓[V] | 電流[A] | ||||
工業 | 混合 SiC-IPM | PMH75CL1A120 | 1200 | 75 | 6-in-1 |
全 SiC-IPM | PMF75CL1A120 | ||||
全SiC功率模塊 | FMF400BX-24A | 1200 | 400 | 4-in-1 | |
FMF800DX-24A | 800 | 2-in-1 | |||
FMF600DX2-24A | 600 | ||||
FMF800DX2-24A | 800 | ||||
高頻開關用混合SiC功率模塊 | CMH100DY-24NFH | 1200 | 100 | 2-in-1 | |
CMH150DY-24NFH | 150 | ||||
CMH200DU-24NFH | 200 | ||||
CMH300DU-24NFH | 300 | ||||
CMH300DX-24NFH | |||||
CMH400DU-24NFH | 400 | ||||
CMH400HC6-24NFM | 1-in-1 | ||||
CMH600DU-24NFH | 600 | 2-in-1 | |||
光伏用DIPIPM | PSH50YA2A6 | 600 | 50 | 4-in-1 | |
軌道牽引 | 混合SiC功率模塊 | CMH1200DC-34S | 1700 | 1200 | 2-in-1 |
家電 | 超小型全SiC DIPIPMtd> | PSF15S92F6 | 600 | 15 | 6-in-1 |
PSF25S92F6 | 25 | ||||
超小型混合SiC DIPPFC | PSH20L91A6-A | 20Arms | Boost chopper×2 | ||
超小型全SiC DIPPFC | PSF20L91A6-A |
有著優異特性的碳化硅(SiC)

降低電能損耗
碳化硅材料的絕緣擊穿電場強度大約比單晶硅高10倍。 除此之外,由于主要決定電阻的漂移層的厚度也只有單晶硅的十分之一,所以電阻也大幅降低,從而進一步減少電能損耗。 同時,SiC的優越性能也大幅降低了功率器件的導通損耗以及開關損耗。

高溫操作
在溫度升高時,電子會向導帶轉移,漏電流增加,導致無法正常運行。 碳化硅的禁帶寬度約為單晶硅的三倍,即使在高溫時漏電流的增加也很小,可以確保高溫下運行。

高速的開關操作
碳化硅在利用強度很高的絕緣擊穿電場降低電能損耗的同時,也容易實現耐高壓,所以可以利用單晶硅無法使用的肖特基勢壘二極管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。 由于SBD沒有載流子累加,最終幫助實現高速的開關動作。

優異的散熱效果
碳化硅的熱傳導率約為單晶硅的三倍,有效提高了散熱能力。
Featured Products
家電用 600V/15A?25A 超小型全SiC DIPIPM的優點
*: 本公司產超小型DIPIPM系列

內部模塊圖

功率損耗比較

Featured
Products
PV用 600V/50A 大型混合SiC DIPIPM的優點
*: 本公司生產的大型DIPIPM PS61A99
內部模塊圖

功率損耗比較

Featured Products
家電用 超小型混合/全SiC DIPPFC的優點

內部模塊圖(全SiC DIPPFC)

功率損耗比較

Featured
Products
工業用 1200V/75A混合/全SiC IPM的優點
*: 本公司生產的IPM L1系列PM75CL1A120

主要規格
額定值 | 1200V/75A 6in1 |
---|---|
內置功能 |
內置驅動電路
欠壓保護
短路保護
過溫保護
(檢測IGBT硅片表面) |
內部模塊圖(全SiC DIPPFC)

功率損耗比較

Featured Products
工業用 1200V/400A?1200V/800A 全SiC功率模塊的優點
*: 使用2個本公司生產的IGBT模塊CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1)時

產品陣容
應用 | 額定電壓 | 額定電流 | 內部拓撲 | 封裝尺寸 |
---|---|---|---|---|
工業 | 1200V | 400A | 4-in-1 | 92.3×121.7mm |
800A | 2-in-1 |
與已有產品的封裝比較

功率損耗比較 1200V/800A 全SiC功率模塊

New
Products
工業用 1200V/600A?1200V/800A 全SiC功率模塊的優點
*: 使用2個本公司生產的IGBT模塊CM400DY-24NF(1200V/400A 2in1)時

產品陣容
型號 | 額定電壓 | 額定電流 | 封裝尺寸 (D x W) |
---|---|---|---|
FMF600DX2-24A★★ | 1200V | 600A | 79.6×122mm |
FMF800DX2-24A★★ | 800A |
★★ Under development
內部保護電路圖(示例)

功率損耗對比 1200V/800A 全SiC功率模塊

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高頻用 混合SiC功率模塊的優點
*: 本公司生產的IGBT模塊NFH系列

產品陣容
應用 | 型號 | 額定電壓 | 額定電流 | 內部拓撲 | 封裝尺寸 ( D x W ) |
---|---|---|---|---|---|
工業 | CMH100DY-24NFH | 1200V | 100A | 2-in-1 | 48×94mm |
CMH150DY-24NFH | 150A | 48×94mm | |||
CMH200DU-24NFH | 200A | 62×108mm | |||
CMH300DU-24NFH | 300A | 62×108mm | |||
CMH300DX-24NFH | 63×152mm | ||||
CMH400DU-24NFH | 400A | 80×110mm | |||
CMH400HC6-24NFM | 400A | 1-in-1 | 62×108mm | ||
CMH600DU-24NFH | 600A | 2-in-1 | 80×110mm |
反向恢復波形(FWD)

功率損耗比較

Featured Products
鐵路牽引變流器用 混合SiC功率模塊的優點
*: 本公司生產的功率模塊CM1200DC-34N

主要規格
模塊 | 最大運行結溫 | 150℃ | |
---|---|---|---|
絕緣電壓 | 4000Vrms | ||
Si-IGBT @150℃ |
集電極-發射極飽和電壓 | 2.3V | |
開關損耗 850V/1200V |
導通 | 140mJ | |
關斷 | 390mJ | ||
SiC-SBD @150℃ |
發射極-集電極電壓 | 2.3V | |
充電電荷 | 9.0µC |
內部模塊圖

功率損耗比較
