2020年9月15日

三菱電機株式會社

為變流器的高效化、小型輕量化做出貢獻

開始發售第2代工業用全SiC功率模塊

三菱電機株式會社將從2020年10月開始依次發售9款搭載新開發SiC芯片的“第2代工業用全SiC功率模塊”。

利用SiC-MOSFET^※1和SiC-SBD^※2的低損耗和高頻運行特性，為各種工業設備的高效化、小型輕量化做出貢獻。

※1    Silicon Carbide: 碳化硅
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: 金屬氧化物半導體場效應晶體管

※2    Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管 

新產品的特點

1．利用低損耗和高頻運行特性，為設備的高效化、小型輕量化做出貢獻

?通過采用JFET摻雜技術^※3新開發的SiC-MOSFET芯片，與現有品相比^※4降低了約15%的通態電阻。此外，通過降低米勒電容^※5，實現高速開關，有助于降低開關損耗；

?與現有的本公司Si-IGBT模塊相比，采用SiC-MOSFET和SiC-SBD，減少了約70%的功率損耗；

?通過降低功耗及高頻運行，為散熱器和電感等周邊元件的小型輕量化做出貢獻

※3    JFET(Junction Field Effect Transistor)，結型場效應晶體管

※4   與本公司相同額定電流的第一代SiC對比

※5   MOSFET柵極和漏極之間的寄生電容(Crss)

2．內置RTC電路，實現短路耐量和低通態電阻兼顧

?搭載可以限制短路電流的RTC(Real Time Control)電路^※6，保證足夠短路時間耐量的同時，實現低通態電阻特性；

?短路發生時，模塊內部保護電路會動作，抑制短路電流；

※6   “FMF400BX-24B”“FMF800DX-24B”除外

3．通過優化內部芯片排布，使散熱均勻

?優化模塊內部SiC-MOSFET和SiC-SBD芯片的分布，使散熱均勻。使散熱器的小型化、甚至無風扇冷卻成為可能；