8月11日至14日，在位于美麗的哈爾濱太陽島花園酒店里，由中國電工技術學會主辦、哈爾濱工業大學承辦的第二十二屆電機與系統國際學術會議（以下簡稱：ICEMS 2019）正在如火如荼地召開。本屆會議吸引近1000位高校學子、行業學者及業界專家齊聚一堂，三菱電機作為金牌贊助單位也出席了本次活動。
作為電機與驅動領域高水平的國際學術會議，ICEMS早已成為世界范圍內的電力電子學界代表和企業界代表互動交流的平臺。也正是因為有這樣良好的交流平臺存在，才得以讓更多專家學者和莘莘學子聽到來自業界的聲音，從而更好地推動了中國電力電子學科和產業的聯動協調發展。
（三菱電機半導體首席技術官Dr. Gourab Majumdar）
上午的主題演講環節，三菱電機半導體首席技術官Dr. Gourab Majumdar發表了名為“功率器件最新技術和趨勢”的專題演講，現場反響熱烈。在報告中，Majumdar博士依次向到場觀眾分享了功率模塊芯片技術和封裝技術的演進，以及三菱電機IGBT模塊、IPM、車用級專用模塊和SiC產品等的發展進步。在軌道牽引行業，三菱電機的HVIGBT模塊已得到在全球軌道及交通市場的廣泛認可，成為行業默認的標準。Majumdar博士介紹到，2019年，針對軌道牽引、電力傳輸和高可靠性變流器等應用領域，為了滿足其應用需求，三菱電機開發了LV100封裝的HVIGBT，這種新型的二合一封裝，與以往相比具有更高的功率密度，實現極低內部雜散電感。而針對業界關注的SiC材料， Majumdar博士也在本次報告中給出詳細說明。三菱電機是將SiC技術應用于功率模塊的先驅之一，目前發布了近三十款SiC功率模塊，包括Hybrid-SiC-IGBT模塊、Hybrid-SiC-IPM、Full-SiC-MOSFET模塊和Full-SiC-IPM等。其實早在2013年，三菱電機供軌道交通車輛使用、搭載3.3kV的全SiC功率模塊便已經實現了商業化，其后，三菱電機一直堅持致力于推廣更節能的SiC功率模塊以逐步取代傳統的Si功率模塊。最后，Majumdar博士還特別提到，在車載充電器（OBC）、PFC、光伏發電應用領域，SiC SBD和SiC MOSFET兩款分立器件產品同樣值得期待。
八月的哈爾濱，秋意漸濃。但這日漸轉寒的天氣，絲毫沒有影響電力電子學術界的研究熱情，多家論點百花齊放，一如春季滿園的芬芳。在交流中融合發展，在發展中穩步創新。我們也期待在了解行業發展動態的同時，能夠把更好的技術奉獻給更多的用戶。
